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博士前期課程1年栗島一徳さん(半導体ナノテクノロジー研究室)が、ゲートスタック研究会(主催:応用物理学会)で最優秀ポスター論文賞(安田賞)を受賞しました

2015年02月05日
明治大学 理工学部事務室

 理工学研究科電気工学専攻 博士前期課程1年の1年栗島一徳さん(半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員:小椋厚志教授)が、応用物理学会の薄膜・表面物理分科会およびシリコンテクノロジー分科会が主催する、第20回ゲートスタック研究会 材料・プロセス・評価の物理http://www2.infonets.hiroshima-u.ac.jp/oxide/2015/)で最優秀ポスター論文賞(安田賞)を受賞しました。

受賞論文のタイトルは「CドープしたInSiOチャネル材料の電気特性及び物性に及ぼすCの影響」、本論文は本学および独立行政法人物質材料研究機構と芝浦工業大学との共同研究の成果です。

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