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【電気工学専攻】博士後期課程1年(日本学術振興会特別研究員DC1)の女屋 崇さん(半導体ナノテクノロジー研究室)が、第65回応用物理学会春季学術講演会(主催:応用物理学会)で講演奨励賞を受賞しました。

2018年05月23日
明治大学 理工学部事務室

 理工学研究科電気工学専攻 博士後期課程1年(日本学術振興会特別研究員DC1)の女屋 崇さん(半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員:小椋 厚志教授)が、第65回応用物理学会春季学術講演会(主催:応用物理学会)で講演奨励賞を受賞しました(https://www.jsap.or.jp/young-scientist-presentation-award/recipients44)。受賞論文のタイトルは「上下ZrO2核生成層によるHfxZr1−xO2薄膜の強誘電性の改善」です。

本発表の内容は、連携大学院協定のもと本学の再生可能エネルギー研究クラスターが国立研究開発法人 物質・材料研究機構との共同研究の一環として取り組んでいる成果の一部であり、極薄膜領域で強誘電性を発現するHfxZr1−xO2膜をZrO2核生成層で挟み込んだ新規積層構造を作製することで、様々なデバイスへの応用展開の幅が広がるだけでなく、強誘電性の飛躍的な向上を達成したもので、高性能かつ低電圧動作が可能な次世代メモリデバイスの実現へ向けて大きなインパクトを与える結果です。

応用物理学会講演奨励賞は、春季および秋季の学術講演会において、応用物理学の視点から極めて優れた一般講演を行った若手会員に授与し、これを称えることを目的としています。応用物理学会では、毎年春と秋に学術講演会を開催し、春季は約7,000名,秋季は約6,000名が参加し、4,000件におよぶ講演と活発な討論が行なわれます。 2018年春季学術講演会では、4,163件の講演がありましたが、予め申請があった発表者の中から、厳正な審査の結果、38名が講演奨励賞に選出されました。

受賞者には、次の秋季講演会において会長から賞状と記念品が授与されると共に、受賞記念講演の機会が与えられます。全件数に対する希少性と審査の厳正さゆえに、本賞は応用物理学の若手の登竜門と呼ぶべきステータスを築いてきました。優秀な若手の人材育成、国内外の応用物理学とその関連分野の発展に貢献していると認識されています。

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