理工学部電気電子生命学科横川凌助教が、第4回フォノンエンジニアリング研究会で講演奨励賞を受賞しました。受賞論文のタイトルは「X線非弾性散乱法で観測されるBulk SiGe単結晶フォノンスペクトルの振る舞い(Investigation of Bulk Silicon Germanium Phonon Spectrum Observed by Inelastic X-ray Scattering)」です。
本発表の内容は、本学再生可能エネルギー研究インスティテュート（代表、理工学部小椋厚志教授）が、国立研究開発法人科学技術振興機構（JST）の戦略的創造研究推進事業（CREST）の一環として早稲田大学、東北大学、JAXA、高輝度光科学研究センターと共同で行ったものです。IoT社会を支える上で重要なセンサーやウェラブルデバイス応用に期待されているSiGeという混晶半導体について、熱電発電デバイス実用化の観点から、X線非弾性散乱法という放射光技術を駆使して他の半導体材料にはない新たな物理現象を発見したことが評価されました。
フォノンエンジニアリング研究会は2017年1月に応用物理学会の新領域研究グループとして発足しました。ナノスケールでのフォノン(格子振動の量子化)輸送物理の理解に立脚した材料開発からデバイス応用までを深く議論、探求する点が特徴で、2020年1月に研究会に昇格しました。本年は第4回目で12月11日および12日に研究会を実施し、約130名がオンライン形式で参加し、チュートリアル、招待講演も含め盛大に開催されました。
