再生可能エネルギー研究インスティテュート

NEDO（国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構）のプロジェクトである「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクス」の研究成果について、国際学会IEDM（IEEE International Electron Devices Meeting）に採択され、12月3日から米国サンフランシスコで開催されている国際学会IEDM2016で成果を発表しました。

　IEDMは、ISSCC（International Solid-State Circuits Conference）、VLSIシンポジウム（Symposia on VLSI Technology and Circuits）とならび半導体分野の3大国際学会の1つであり、採択率が非常に低く、各研究機関の技術レベルを示す学会として注目されています。

　本プロジェクトによる研究成果は、以下の研究グループによるもので、Si-IGBT（シリコンを半導体材料とする絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（Insulated Gate Bipolar Transistor）の略称）の微細化により、オン動作時の単位面積あたりの電流密度を高めることで、従来比約50％の抵抗値等の性能向上を実証したものです。本研究グループにおいて、明治大学は、半導体デバイスの評価を通じて劣化プロセスを特定し、改善する役割を担っています。

　本研究成果により、市場のさらなる拡大とともに、電力制御システムの飛躍的高効率化と低コスト化を実現する次世代技術としてグローバルな省エネルギー社会への貢献が期待されます。
（一部、NEDOウェブサイトより抜粋）

　なお、本研究成果はNEDOおよび東京工業大学よりプレスリリースされ、国内外を問わず多数のウェブサイトで公開され、日刊工業新聞、鉄鋼新聞等の書面および日経エレクトロニクス等にも掲載されております。

【研究グループ】
　東京工業大学（本研究成果の筆頭・責任者）
　東京大学（NEDOプロジェクトの代表者）
　九州工業大学
　明治大学（理工学部・教授／再生可能エネルギー研究クラスター・代表　小椋厚志）
　産業総合研究所
　東芝
　三菱電機  

【関連情報】
・NEDOプロジェクトの研究開発成果を国際学会IEDM2016で発表
・微細化によるシリコンパワートランジスタの高効率化に成功—電力制御システムの飛躍的高効率・低コスト化に新たな道—
・3D solutions to energy savings in silicon power transistors