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理工学研究科

【理工学研究科】電気工学専攻博士前期課程2年の楠木厚毅君、澤田真志君、原広紀君、平野祐君がTACT2015 International Thin Films ConferenceにてPoster Award of Meritを受賞しました

2016年01月12日
明治大学 理工学部事務室

受賞名:Poster Award of Merit
学会名:International Thin Films Conference (TACT 2015)
開催地:National Cheng Kung University, Taiwan
開催日:2015年11月15日~11月18日(発表日:11月17日)

発表題目1:Optical and structural properties of SixC1-x alloy thin films prepared by RF magnetron sputtering
発表者1:○Atsuki Kusunoki and Hiroshi Katsumata

発表題目2:Formation of amorphous Si/β-FeSi2 composite thin films by co-sputtering
発表者2:○Masashi Sawata and Hiroshi Katsumata

発表題目3:Visible and 1.5μm luminescence from SiO2 thin films codoped with nc-Si and Er
発表者3:○Hiroki Hara, Kazuya Iwade and Hiroshi Katsumata

発表題目4:Fabrication and optical characterization of p-ZnO:Cu,N/n-SiC heterojunctions
発表者4:○Yu Hirano and H. Katsumata

 理工学研究科 電気工学専攻 博士前期課程2年の楠木厚毅君、澤田真志君、原広紀君、平野祐君の4名(勝俣研究室)が、2015年11月15日~18日に台湾のNational Cheng Kung Universityで開催されたTACT 2015 International Thin Films Conferenceにて、Poster Award of Meritを受賞しました。
 発表題目1では、Si系発光素子への応用を目指して、アモルファスSiC中に微結晶Siの形成を試み、可視発光を観測し、それらの発光メカニズムを提案しました。発表題目2では、太陽電池への応用を目的として、共スパッタリング法によりガラス基板上に低温でアモルファスSi/ナノ結晶β-FeSi2からなる複合薄膜を低温で形成し、光学的・構造的物性を評価しました。発表題目3では、Erとナノ結晶Siを共添加したSiO2薄膜を発光層とするpin接合EL素子を形成し、可視発光および光通信で利用される1.5μm発光を観測しました。発表題目4では、作製困難なp型ZnO膜の形成と緑色LEDの発光効率向上を目的として、n形SiC基板上に、窒素(N)とCuを共添加したZnO薄膜を形成することにより、p-ZnO:Cu,N/n-SiCヘテロ接合素子を作製し、緑色EL発光を観測しました。
 これらの素子・材料は、地球上に豊富に存在し、生体・環境に対する毒性が軽微な材料より構成される「環境配慮型半導体」を用いて形成したものであり、現在の環境汚染問題や将来の資源の枯渇問題の改善に寄与することが期待されます。「創エネ」「省エネ」など環境維持に役立つグリーンデバイスは、地球環境という観点からだけでなく、農業や自動車産業への応用等を含め、今後の世界経済を牽引していく産業分野として期待されています。

明治大学大学院