理工学研究科電気工学専攻 博士前期課程2年の鈴木涼太さん（半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員：小椋厚志教授）が、第40回（2016年春季）応用物理学会講演会（主催：応用物理学会）で講演奨励賞を受賞しました。
受賞論文のタイトルは「PLイメージングを用いた強制汚染およびゲッタリングによる多結晶Si中の鉄およびニッケルの影響評価」です。発表の内容は、本学が国立研究開発法人 新エネルギー・産業技術開発機構（NEDO）からの委託を受けて取り組んでいる、「高性能･高信頼性太陽光発電の発電コスト低減技術開発／太陽電池セル、モジュールの共通基盤技術開発／先端複合技術シリコン太陽電池プロセス共通基盤に関する研究開発（材料・プロセス評価基盤技術に関する研究開発）」の一環として、豊田工業大学と共同で取り組んだ成果の一部です。
応用物理学会のホームページ（https://www.jsap.or.jp/activities/award/lecture/dai40kai.html）には本賞の意義について以下の解説が付されています。
応用物理学会講演奨励賞は、春季および秋季の学術講演会において、応物の視点から極めて優れた一般講演（口頭・ポスター講演）を行った若手会員に授与し、これを称えることを目的としています。
2016年春季学術講演会では3、725件の一般講演と48件のシンポジウム講演がありましたが、予め申請があった797件の発表者の中から、厳正な審査の結果、38名が選出されました。
受賞者には、次の秋季講演会において会長から賞状と記念品が授与され、また受賞記念講演の機会が与えられます。さらにAPEX、JJAPを通じて成果を広くアピールすることも奨励しています。本賞が設置されて既に19年が経過しました。受賞者の選出は、①講演会当日の会場審査、②各大分類及び合同セッションによる推薦候補者の選出、③講演会企画運営委員会における議論を経て、一般講演の全件数の1%程度に絞り込まれ、④理事会の審議を経て決定されます。
全件数に対する希少性と審査の厳正さゆえに、本賞は応物の若手の登竜門と呼ぶべきステータスを築いてきました。優秀な若手の人材育成、国内外の 応物とその関連分野の発展に多少なりとも貢献していると認識しています。受賞者にはこれを契機として一段と高い水準の研究を目指しご活躍いただくとともに、後輩の方々へ自らの経験を是非伝えていただきたいと思います。
