理工学研究科電気工学専攻 博士後期課程2年の女屋 崇さん（半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員：小椋 厚志教授）が、米国ノースカロライナ州ダーラムで開催されたIEEEが主催する国際会議Non-Volatile Memory Technology Symposium 2019（https://nvmts2019.com/）で、Best Poster Awardを受賞しました。
受賞論文のタイトルは”Comparison of Reliability of Ferroelectric HfxZr1−xO2 Thin Films Fabricated by Several Processes with Plasma-Enhanced and Thermal Atomic Layer Deposition“です。
本論文は、本学の再生可能エネルギー研究インスティテュートが国立研究開発法人「物質・材料研究機構」および米国のテキサス大学ダラス校（州立）と遂行した共同研究の結果として得られた成果です。
本国際シンポジウムは、USBメモリーや携帯電話などに用いられている、電源を切っても内容を記憶する”不揮発性メモリー”に関する最新の成果が一堂に集う会議です。授賞対象となった論文は、原子層1層づつを積み上げて作製して開発した強誘電性を示すメモリー材料の、長期使用における特性劣化を防ぐための信頼性試験結果に関する内容であり、その完成度と新規性が評価されて、今回の受賞につながりました。
