理工学研究科電気工学専攻 博士前期課程2年 女屋 崇さん（半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員：小椋 厚志教授）が、応用物理学会 薄膜・表面物理分科会及びシリコンテクノロジー分科会が主催する電子デバイス界面テクノロジー研究会－材料・プロセス・デバイス特性の物理－」（第23回）で若手奨励賞である安田賞（口頭講演）を受賞しました。
本研究会（http://edit-ws.jp/）は、近年、構造や材料の変革が進む半導体デバイスの高性能化を達成するために最も重要な要素技術の一つである界面テクノロジーに関して、産・官・学の第一線の研究者が基礎から応用までを理論と実験の両面から議論し、本分野の発展に貢献する場として1996年から23回にわたり開催されています。本年は、1月18日から20日にかけて静岡県三島市、東レ総合研修センターで百数十名の参加者を得て盛大に開催されました。受賞論文のタイトルは「上下ZrO2核生成層を用いたHfxZr1-xO2薄膜の強誘電性の向上」です。本発表の内容は、近年、低電圧動作が可能な次世代メモリデバイスへの応用が期待されている強誘電体HfxZr1-xO2薄膜の性能向上及び様々なデバイス応用を可能とする新規積層構造の探索成果について、本学の再生可能エネルギー研究クラスターが国立研究開発法人 物質・材料研究機構（NIMS）との共同研究で得られた成果です。
