理工学研究科電気工学専攻 博士前期課程を本年3月に修了した小林弘人さん（半導体ナノテクノロジー研究室、指導教員：小椋 厚志教授）が、第46回応用物理学会春季学術講演会（主催：応用物理学会）で講演奨励賞を受賞しました。受賞論文のタイトルは「Si-IGBTプロセスによるFZ-Siの少数キャリアライフタイムへの影響評価-III-」です。
本発表の内容は、本学の再生可能エネルギー研究クラスターが国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構.（NEDO）の委託を受けて東京大学や東京工業大学、九州大学、九州工業大学等の大学に産業界から三菱電機、東芝を加えた産学連携で取り組んでいる「低炭素社会を実現する次世代パワーエレクトロニクスプロジェクト／新世代Siパワーデバイス技術開発／新世代Si－IGBTと応用基本技術の研究開発」の成果の一部であり、これからの省エネルギー社会の実現に不可欠な高性能パワーエレクトロニクスデバイスの実現に、結晶工学の観点から新しい展望を与える結果です。
応用物理学会講演奨励賞は、春秋講演会において応用物理学の視点から極めて優れた一般講演を行った若手会員に授与し、これを称えることを目的としています。応用物理学会では、毎年春と秋に学術講演会を開催し、春季は約7,000名，秋季は約6,000名が参加し、4,000件におよぶ講演と活発な討論が行なわれます。2019年春季学術講演会では3,559件の一般講演がありましたが、あらかじめ申請があった653件の発表者の中から、36名が選出されました。受賞者の選出は講演会当日の会場審査に講演会企画運営委員会における議論を経て、一般講演全件数の1%程度に絞り込まれ、理事会の審議を経て決定されます。全件数に対する希少性と審査の厳正さゆえに、本性は応物の若手の登竜門と呼ぶべきステータスを築いてきました。
受賞者には、次の秋季講演会において会長から賞状と記念品が授与され、受賞記念講演の機会が与えられます。
関連ホームページ：
第46回（2019年春季）応用物理学会講演奨励賞 受賞者https://www.jsap.or.jp/young-scientist-presentation-award/recipients46
