理工学研究科電気工学専攻博士後期課程３年の横川凌さん（半導体ナノテクノロジー研究室，指導教員：再生可能エネルギー研究インスティテュート代表 小椋厚志教授）が，応用物理学会が主催する第25回電子デバイス界面テクノロジー研究会で「研究会活性化奨励賞」を受賞しました。
界面テクノロジー研究会は1996 年から2015 年まで20 回にわたり開催されてきた「極薄シリコン酸化膜の形成・評価・信頼性研究会」,「ゲートスタック研究会 —材料・プロセス・評価の物理—」の歴史を継承し，第21 回より対象を広げ，新たな名称のもとスタートしました。各分野からの招待講演者のほかに，一般の口頭発表，ポスター発表を広く募集し、本年も1月31日および2月1日の両日にわたり、約50件の論文発表が行われ盛大に開催されました。
今回の受賞は単に発表論文の内容だけではなく、会議全般を通じてディスカッションをリードし、研究会における議論の深化に貢献したことが評価されました。なお、横川さんの授賞は昨年に引き続き2年連続の快挙です。
