理工学研究科 電気工学専攻 博士前期課程2年 小川健太さん（ 半導体ナノテクノロジー研究室 指導教員：小椋厚志教授）が、The 2025 International Workshop on “Dielectric Thin Films for Future Electron Devices: Science and Technology” (IWDTF2025)でYoung Researcher Awardを受賞しました。
IWDTFは応用物理学会が主催し毎年開催されている国際ワークショップで、本年は11月5日から7日にかけて仙台市の戦災復興記念館で国内外から約120-30名の参加者を得て盛大に開催されました。今回の栄誉は59件の発表論文からの受賞です。
受賞論文題目は“Effects of Interface Formation Process on Tunneling Current Components of N-type Ti0.3Zn0.7O1.3/P-type Si Stack Structure”
著者はKenta Ogawa, Toyohiro Chikyow, Atsushi Ogura, Takahiro Nagata
内容は次世代高性能半導体ロジックデバイスの実現に向けた基礎研究です。
なお、本研究は連携大学院協定に基づく本学と物質材料研究機構との共同研究の成果で、長田先生は本学の客員教授です。
