理工学部電気電子生命学科半導体ナノテクノロジー研究室（小椋厚志教授）の横川凌助教が第56回応用物理学会講演奨励賞を受賞しました。
同賞は応用物理学の観点から極めて優れた一般講演（口頭講演）を行った若手会員に授与し、これを称えることを目的とし、全一般講演の1.5%以内という厳しい受賞枠を堅持している価値ある賞と言えます。全件数に対する希少性と審査の厳正さゆえに、講演奨励賞は応用物理学の若手の登竜門と呼ぶべきステータスを築いてきました。優秀な若手の人材育成、国内外の応用物理学とその関連分野の発展に貢献していると認識されています。受賞者には、次の秋季学術講演会において会長から賞状と記念品が授与され、受賞記念講演の機会が与えられます。
受賞講演の演題は「SiGeラマンスペクトルの非対称ブロードニングに関する考察」で、著者は横川 凌助教に加えて、寿川 尚, 前⽥ 唯葉, 荒井 康智, 米永 ⼀郎, ⼩椋 厚志で、本学理工学部に加えて、本学再生可能エネルギー研究インスティテュート、JAXAおよび東北大学の共同研究の成果に関する講演です。
